IRFB4710 Tranzistors N-FET, 100V, ±20V, Vgs(3.5...5.5V), 75A, 200W, 0R014, TO-220
IRFB4710 Tranzistors N-FET, 100V, ±20V, Vgs(3.5...5.5V), 75A, 200W, 0R014, TO-220

* Produktu fotogrāfijas ir tikai noskatīšanai un var dažreiz atšķirties no priekšmeta reāla izskata. Bet galvenās īpašības ir vienādas.

IRFB4710 Tranzistors N-FET, 100V, ±20V, Vgs(3.5...5.5V), 75A, 200W, 0R014, TO-220

Cena: 2.13 €
00012998
IRFB4710PBF
17

  • Apraksts

    • Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
    • Type of transistor N-MOSFET
    • Technology HEXFET®
    • Polarisation unipolar
    • Drain-source voltage 100V
    • Drain current 75A
    • Power dissipation 200W
    • Case TO220AB
    • Gate-source voltage ±20V
    • On-state resistance 14mΩ
    • Mounting THT
    • Gate charge 110nC
    • Kind of package tube
    • Kind of channel enhanced
    • Additional information
    • Gross weight: 1.967 g
    • Manufacturer part number: IRFB4710PBF

    Parametri

    100V
    75A
    200W
    0R014
    TO-220

    Papildu dokumentācija

Saistītie produkti

Adrese

Jaunākās ziņas

Jaunākie produkti

Lapas

© 2021 Visas tiesības aizsargātas. Salvats.lv
  • Visa Express
  • MasterCard
  • Maestro
  • Visa